آغاز تولید انبوه ماژول‌های ۱۲۸ گیگابایتی DDR4 توسط سامسونگ

http://www.digibyte.ir/wp-content/uploads/2015/11/ddr4.jpg

کمپانی Samsung روز پنجشنبه خبر از آغاز تولید انبوه ماژول‌های حافظه DDR4 با ظرفیت ۱۲۸ گیگابایت داده است. دست یابی به چنین ماژول‌های بسیار پر ظرفیتی با بکارگیری فناوری پشته سازی عمودی تراشه‌ها یا TSV بر روی هم ممکن شده است.

در تکنیک TSV، دو یا چندین تراشه با فاصله بسیار کمی بر روی هم قرار می‌گیرند و سپس توسط صد‌ها حفره و از اطریق الکتروهای فوق العاده باریک و کوچیکی به یک دیگر متصل می‌شوند. این فناوری پیشرفته با افزایش چشمگیر سیگنال رسانی همراه است. ماژول‌های حافظه ۱۲۸ گیگابایتی سامسونگ متشکل از ۱۱۴ تراشه DDR4 در قالب پکیج‌های ۴ گیگابایت است، به عبارتی در هر سمت ماژول ۱۸ پکیج ۴ گیگابایتی و در مجموع ۳۶ پکیج ۴ گیگابایتی وجود دارد. هر پکیج خود متشکل از چهار تراشه ۸ گیگابیتی ۲۰ نانومتری است. به گفته سامسونگ،

این ماژول‌های حافظه از طراحی ویژه‌ای برخوردار هستند که تراشه پایینی هر پکیج ۴ گیگابایتی از بافر و قابلیت‌هایی برای بهبود کارایی و کاهش مصرف انرژی برخوردار است.
ترکیب این فناوری‌ها در ‌‌نهایت به سرعت تا ۲۴۰۰ مگابیت بر ثانیه می‌انجامد که دوبرابر ماژول‌های ۶۴ گیگابایتی LRDIMM آن هم با نصف مصرف انرژی است. به گفته سامسونگ، ماژول‌های LRDIMM که پیش‌تر پرظرفیت‌ترین ماژول‌های دنیا بودند، به دلیل بکارگیری ارتباط معمولی برای متصل کردن تراشه‌ها، مشکل مصرف بسیار بالای انرژی و افت کارایی داشتند.

اگر نسبت به ماژول‌های بسیار پرظرفیت سامسونگ هیجان زده شده‌اید و به تهیه آن‌ فکر می‌کنید، متاسفانه باید گفت که این ماژول‌ها فعلاً برای سرور‌ها و کاربردهای غیر خانگی طراحی شده‌اند، با این حال می‌توان به نسل بعدی کامپیوترهای رومیزی بسیار امیدوار بود.

منبع: techspot

تاریخ انتشار خبر : ۸ آذر ۱۳۹۴

Facebookgoogle_plustwitter
اشتراک در خبرنامه دیجی بایت

در خبرنامه دیجی بایت عضو شوید و از تازه ترين اخبار با خبر شويد

۰۵۱-۳۸۵۲۲۷۰۰